IS42VM16800F-75BLI和MT48H8M16LFB4-8:J

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM16800F-75BLI MT48H8M16LFB4-8:J MT48H8M16LFB4-8IT:JTR

描述 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 133MHz, 54 Ball BGA (8mmx8mm) , ITDRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 1.8V 54Pin VFBGA TraySynchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, VFBGA-54

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 54 54 -

封装 BGA-54 VFBGA-54 VFBGA

位数 16 16 -

存取时间 6 ns - -

存取时间(Max) 6ns, 8ns 7ns, 8ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ -

电源电压(Max) 1.95 V - -

电源电压(Min) 1.7 V - -

电源电压(DC) - - 1.80 V, 1.90 V (max)

时钟频率 - - 125MHz (max)

工作电压 - 1.80 V -

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V -

封装 BGA-54 VFBGA-54 VFBGA

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台