VN3205P-G和VQ1001P-2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN3205P-G VQ1001P-2 VQ1001P

描述 MOSFET Power N-CHNL MOSFET ENHANCEMENT-MODEMOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIPTrans MOSFET N-CH 30V 0.83A 14Pin SBCDIP

数据手册 ---

制造商 Supertex (超科) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 PDIP-14 DIP-14 DIP-14

引脚数 - - 14

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

输入电容(Ciss) - 110pF @15V(Vds) 110pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 2 W

漏源极电阻 - - 1.00 Ω

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 2 W

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 3.00 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

通道数 1 - -

封装 PDIP-14 DIP-14 DIP-14

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

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