OPA2111KP和TS512IN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OPA2111KP TS512IN LF353N

描述 TEXAS INSTRUMENTS  OPA2111KP  运算放大器, 2 MHz, 2个放大器, 2 V/µs, ± 5V 至 ± 18V, DIP, 8 引脚精密双路运算放大器 Precision dual operational amplifierFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  LF353N  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 13 V/µs, ± 18V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 PDIP-8 DIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 18.0 V 15.0 V 18.0V (max)

供电电流 5 mA 500 µA 3.6 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

带宽 2 MHz 3 MHz 4 MHz

转换速率 2.00 V/μs 1.50 V/μs 13.0 V/μs

增益频宽积 2 MHz 3 MHz 4 MHz

输入补偿电压 300 µV 500 µV 5 mV

输入偏置电流 3 pA 50 nA 50 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 2 MHz 3 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) 82 dB 90 dB 70 dB

电源电压 - 6V ~ 30V -

电源电压(Max) - 30 V -

电源电压(Min) - 6 V -

针脚数 8 - 8

耗散功率 500 mW - 0.5 W

共模抑制比 82 dB - 70 dB

输入补偿漂移 500 nV/K - -

耗散功率(Max) 500 mW - 500 mW

封装 PDIP-8 DIP-8 DIP-8

长度 9.81 mm - -

宽度 6.35 mm - -

高度 4.57 mm - 3.4 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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