3SK293和BF998W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 3SK293 BF998W BF998

描述 3SK293 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-343/SMQ/SC-61 marking/标记 UF 低噪声增益控制放大器/大功率增益硅N沟道MOSFET四极管(具有高S / C质量因数短沟道晶体管) Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor)NXP  BF998  晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-143

引脚数 4 - 4

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-143

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2018/06/27

针脚数 - - 4

极性 - - N-Channel

耗散功率 - - 200 mW

漏源极电压(Vds) - - 12 V

连续漏极电流(Ids) - - 30.0 mA

工作温度(Max) 125 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 100 mW - 200 mW

输入电容(Ciss) 2pF @6V(Vds) - -

材质 Silicon - -

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