RFD3055和RFD3055LESM

对比图

型号 RFD3055 RFD3055LESM RFD3055LE

描述 11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs11A ， 60V ， 0.107欧姆，逻辑电平， N沟道功率MOSFET 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFD3055LE  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 60 V, 107 mohm, 5 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 12.0 A 11.0 A 11.0 A

漏源极电阻 150 mΩ 107 mΩ 0.107 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 53 W 38 W 38 W

输入电容 - 350 pF -

栅电荷 - 9.40 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 11.0 A 11.0 A

上升时间 21 ns 105 ns 105 ns

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 53 W 38 W 38 W

下降时间 10 ns 39 ns 39 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 53W (Tc) 38W (Tc) 38W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3 V

通道数 1 - -

长度 6.8 mm 6.73 mm -

宽度 2.5 mm 6.22 mm -

高度 6.3 mm 2.39 mm -

封装 TO-251-3 TO-252-3 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99