IXTP64N055T和IXTY64N055T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTP64N055T IXTY64N055T RFK70N06

描述 TO-220 N-CH 55V 64ATO-252AA N-CH 55V 64A70A , 60V , 0.014 Ohm的N通道功率MOSFET 70A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Intersil (英特矽尔)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount -

封装 TO-220-3 TO-252-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 130W (Tc) 130W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 64A 64A -

输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 1420pF @25V(Vds) -

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) -

封装 TO-220-3 TO-252-3 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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