MRF10031和MS2213

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF10031 MS2213 MZ0912B50Y,114

描述 微波功率晶体管NPN硅 MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON射频与微波晶体管特产航空电子/ JTIDS应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS SPECIALITY AVIONICS/JTIDS APPLICATIONSTrans RF BJT NPN 120V 3A 3Pin CDFM Blister

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

引脚数 3 4 3

封装 332A-03 - SOT443A

安装方式 Chassis Screw -

封装 332A-03 - SOT443A

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tray Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

耗散功率 110 W 75 W -

输出功率 30 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 55 V 55 V -

增益 9.5 dB 7.8 dB -

最小电流放大倍数(hFE) 20 @500mA, 5V 15 @1A, 5V -

额定功率(Max) 30 W 75 W -

频率 - 1215 MHz -

工作温度(Max) - 250 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 75000 mW -

工作温度 200℃ (TJ) 250℃ (TJ) -

材质 - Silicon -

ECCN代码 EAR99 - -

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