对比图
描述 30 V ， 5.3 PNP低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 30 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorNXP PBSS303PZ,135 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 130 MHz, 700 mW, -5.3 A, 400 hFE
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 4
封装 SC-73 TO-261-4
频率 - 130 MHz
额定功率 - -
针脚数 - 4
耗散功率 - 700 mW
增益频宽积 - -
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V
最小电流放大倍数(hFE) - 250 @1A, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - 250 @0.5A, 2V
额定功率(Max) - 2 W
直流电流增益(hFE) - 400
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -
耗散功率(Max) - -
极性 PNP PNP
集电极最大允许电流 5.3A 5.3A
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
封装 SC-73 TO-261-4
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17