对比图
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 10A ，107M N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 10A, 107mFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD20N06TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16.8 A, 60 V, 0.05 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V
额定电流 10.0 A 16.8 A
漏源极电阻 91.0 mΩ 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 25W (Tc) 38 W
输入电容 350 pF -
栅电荷 4.20 nC -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±25.0 V
连续漏极电流(Ids) 10.9 A 16.8 A
上升时间 54.0 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 360pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 25W (Tc) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
针脚数 - 3
阈值电压 - 4 V
额定功率(Max) - 2.5 W
下降时间 - 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.1 mm
高度 - 2.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99