对比图
描述 NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLDNPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管
封装 - SOT-223-4 Macro-X
安装方式 - - Surface Mount
引脚数 - - 4
耗散功率(Max) - 1 W 2000 mW
耗散功率 - - 2000 mW
输出功率 - - 0.5 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 16 V
增益 - - 9.5 dB
最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @50mA, 10V
额定功率(Max) - - 2 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
封装 - SOT-223-4 Macro-X
高度 - - 2.54 mm
产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free