2SC3357和BFG19S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC3357 BFG19S MRF559

描述 NPN外延硅晶体管RF高频低噪声放大3 - pin电源MINIMOLD NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION 3-PIN POWER MINIMOLDNPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 - SOT-223-4 Macro-X

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 4

耗散功率(Max) - 1 W 2000 mW

耗散功率 - - 2000 mW

输出功率 - - 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) - - 16 V

增益 - - 9.5 dB

最小电流放大倍数(hFE) - - 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 - SOT-223-4 Macro-X

高度 - - 2.54 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台