对比图
型号 SI1900DL-T1-E3 SI1972DH-T1-GE3 FDG6301N
描述 TRANSISTOR 590mA, 30V, 2Channel, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SC-70, 6Pin, FET General Purpose Small SignalTrans MOSFET N-CH 30V 1.3A 6Pin SC-70 T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6301N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 220 mA, 25 V, 4 ohm, 4.5 V, 850 mV
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
引脚数 6 - 6
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 25 V
输入电容(Ciss) - 75pF @15V(Vds) 9.5pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 270 mW 1.25 W 300 mW
额定电压(DC) - - 25.0 V
额定电流 - - 220 mA
针脚数 - - 6
漏源极电阻 0.7 Ω - 4 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel - N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 0.27 W - 300 mW
阈值电压 - - 850 mV
输入电容 - - 9.50 pF
栅电荷 - - 290 pC
漏源击穿电压 30 V - 25.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - 8.00 V
连续漏极电流(Ids) 630 mA - 220 mA
上升时间 - - 4.5 ns
下降时间 - - 3.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 0.3 W
热阻 400℃/W (RθJA) - -
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
长度 2.2 mm - 2 mm
宽度 1.25 mm - 1.25 mm
高度 1 mm - 1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99