2N6385和JANTX2N6385

对比图

型号 2N6385 JANTX2N6385 JAN2N6674

描述 NTE ELECTRONICS 2N6385 Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 80V, 150W, 10A, 1000 hFETrans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin(2+Tab) TO-3Trans GP BJT NPN 300V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-204

引脚数 2 3 -

击穿电压(集电极-发射极) - - 300 V

最小电流放大倍数(hFE) - - 8 @10A, 2V

额定功率(Max) - - 6 W

极性 NPN - -

耗散功率 150 W 6 W -

直流电流增益(hFE) 1000 - -

工作温度(Max) 200 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 6000 mW -

封装 TO-3 TO-3 TO-204

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - EAR99 -