对比图
型号 BD136-10 BD536 TIP142T
描述 PNP Epitaxial Silicon Transistor50W Medium Power PNP Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 8A Ic, 20 hFE.NPN 复合晶体管，STMicroelectronics### 双极晶体管，STMicroelectronicsSTMicroelectronics 的各种 NPN 和 PNP 双极性晶体管，包括通用、达林顿、功率和高电压设备，采用表面安装和通孔封装。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Continental Device ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管
安装方式 - - Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - SFM TO-220-3
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 10.0 A
极性 - - NPN
耗散功率 - - 90 W
集电极击穿电压 - - 100 V
击穿电压(集电极-发射极) - - 100 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 500
额定功率(Max) - - 80 W
直流电流增益(hFE) - - 1000
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -65 ℃
耗散功率(Max) - - 90000 mW
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 4.6 mm
高度 - - 9.15 mm
封装 - SFM TO-220-3
工作温度 - - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99