GBPC3510-W和KBU3510-G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GBPC3510-W KBU3510-G GBPC3510

描述 Bridge Rectifier Diode, 35A, 1000V V(RRM)KBU 1000V 35ABRIDGE RECTIFIERS

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Comchip Technology (上华科技) Micro Commercial Components (美微科)

分类 二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 4 -

封装 - SIP-4 -

正向电压 - 1.1V @17.5A -

最大反向电压(Vrrm) - 1000V -

正向电流 - 35 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 400 A -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 - SIP-4 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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