LMC6462AIM/NOPB和TL3472IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6462AIM/NOPB TL3472IDR LMC6462BIM/NOPB

描述 CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas Instruments高转换率单电源运算放大器 HIGH-SLEW-RATE, SINGLE-SUPPLY OPERATIONAL AMPLIFIERCMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作电压 3V ~ 16V - 3V ~ 15.5V

输出电流 ≤30 mA ≤80 mA ≤30 mA

供电电流 50 µA 3.5 mA 50 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 - 8

共模抑制比 70 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.50 µV/K 10.0 µV/K 1.50 µV/K

带宽 50 kHz 4 MHz 50 kHz

转换速率 15.0 mV/μs 10.0 V/μs 15.0 mV/μs

增益频宽积 0.05 MHz 4 MHz 50 kHz

输入补偿电压 250 µV 1 mV 250 µV

输入偏置电流 0.00000015μA @5V 100 nA 0.15 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 105 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.05 MHz 4 MHz 0.05 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 15.5V - 3V ~ 15.5V

电源电压(Max) 15.5 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.45 mm 1.5 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

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