FQI27P06和FQI27P06TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQI27P06 FQI27P06TU

描述 60V P沟道MOSFET 60V P-Channel MOSFETTrans MOSFET P-CH 60V 27A 3Pin(3+Tab) I2PAK Rail

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 I2PAK TO-262-3

额定电压(DC) - -60.0 V

额定电流 - -27.0 A

漏源极电阻 - 55.0 mΩ

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 - 3.75W (Ta), 120W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 27A 27.0 A

输入电容(Ciss) - 1400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 120W (Tc)

封装 I2PAK TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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