对比图
型号 AT-31011-TR1 AT-31011-TR1G AT-31011
描述 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar TransistorTrans RF BJT NPN 5.5V 0.016A 4Pin(3+Tab) SOT-143 T/R低电流，高性能硅NPN双极晶体管 Low Current, High Performance NPN Silicon Bipolar Transistor
数据手册 ---
制造商 HP (惠普) AVAGO Technologies (安华高科) Agilent (安捷伦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 -
封装 - TO-253-4 SOT-143
额定电压(DC) - 5.50 V -
额定电流 - 16.0 mA -
极性 - NPN -
耗散功率 - 150 mW -
击穿电压(集电极-发射极) - 5.5 V -
增益 - 11dB ~ 13dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 70 @1mA, 2.7V -
额定功率(Max) - 150 mW -
直流电流增益(hFE) - 70 -
封装 - TO-253-4 SOT-143
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -