M58LW032C110N1和M58LW032D110N6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M58LW032C110N1 M58LW032D110N6 M58LW032D110N1F

描述 32兆位的2Mb X16 ,统一座,突发3V电源快闪记忆体 32 Mbit 2Mb x16, Uniform Block, Burst 3V Supply Flash Memory32兆位4Mb的X8 , X16的2Mb ,统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory32兆位4Mb的X8 , X16的2Mb ,统一座3V电源快闪记忆体 32 Mbit 4Mb x8, 2Mb x16, Uniform Block 3V Supply Flash Memory

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 TSOP-56 TSOP-56 TSSOP

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.60 V (max) -

时钟频率 - 110 GHz -

存取时间 - 110 ns -

内存容量 - 32000000 B -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 2.7V ~ 3.6V -

封装 TSOP-56 TSOP-56 TSSOP

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

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