对比图
描述 IPAK N-CH 55V 44A单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-251-3 TO-251-3
极性 N-CH N-CH
耗散功率 107W (Tc) 107 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 44A 44A
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 107W (Tc) 107W (Tc)
额定功率 - 69 W
上升时间 - 69 ns
额定功率(Max) - 107 W
下降时间 - 60 ns
封装 TO-251-3 TO-251-3
长度 - 6.73 mm
宽度 - 2.38 mm
高度 - 6.22 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free