2N7002和BSN254

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002 BSN254 BFW12

描述 N沟道 60V 280AN沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorsTRANSISTOR 10 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类

基础参数对比

封装 SOT-23-3(TO-236) SPT -

封装 SOT-23-3(TO-236) SPT -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant -

极性 - N-CH -

漏源极电压(Vds) - 250 V -

连续漏极电流(Ids) - 0.31A -

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