70T651S10BFGI和70V7519S133BFI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70T651S10BFGI 70V7519S133BFI8 70V7519S133BFI

描述 256K x 36 Async, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O's静态随机存取存储器 256K X 36, 9MHIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 208 208 208

封装 CABGA-208 CABGA-208 LFBGA-208

存取时间 10 ns 4.2 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 2.4V ~ 2.6V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) 2.6 V - -

电源电压(Min) 2.4 V - -

长度 15.0 mm 15 mm 15.0 mm

宽度 15 mm 15 mm 15.0 mm

高度 - 1.4 mm -

封装 CABGA-208 CABGA-208 LFBGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台