对比图
型号 FQB32N20CTM STB19NF20 STB30NF20
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAKSTMICROELECTRONICS STB30NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 0.065 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 2
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - 1 1
针脚数 - - 2
漏源极电阻 68.0 mΩ - 0.065 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 3.13W (Ta), 156W (Tc) 90 W 125 W
阈值电压 - - 3 V
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
上升时间 - 22 ns 15.7 ns
输入电容(Ciss) 2220pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 1597pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.13 W 90 W 125 W
下降时间 - 11 ns 8.8 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta), 156W (Tc) 90W (Tc) 125W (Tc)
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 32.0 A - -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 28.0 A - -
长度 - 10.75 mm 10.4 mm
宽度 - 10.4 mm 9.35 mm
高度 - 4.6 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -