对比图
型号 FDS6961A_F011 IRF9956TRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOICIRF9956TRPBF 编带
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2 W
针脚数 - 8
漏源极电阻 90.0 mΩ 0.06 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 2 W 2 W
阈值电压 - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 3.50 A 3.5A
上升时间 11 ns 8.8 ns
输入电容(Ciss) 220pF @15V(Vds) 190pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 900 mW 2 W
下降时间 3 ns 3 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW
额定电压(DC) 30.0 V -
额定电流 3.50 A -
输入电容 220 pF -
栅电荷 2.10 nC -
漏源击穿电压 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V -
长度 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.9 mm 3.9 mm
高度 1.75 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 -