BLF6G20LS-110和BLF6G20LS-75,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G20LS-110 BLF6G20LS-75,112 BLF6G20LS-110,118

描述 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistorTrans RF MOSFET N-CH 65V 18A 3Pin SOT-502B BulkTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - -

封装 SOT502B SOT-502 SOT502B

封装 SOT502B SOT-502 SOT502B

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

频率 - 1.93GHz ~ 1.99GHz -

额定电流 - 18 A -

输出功率 - 29.5 W -

增益 - 19 dB -

测试电流 - 550 mA -

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