对比图
型号 HF150-50S MS1008 BLX15
描述 RF Power Bipolar Transistor, 1Element, High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.5INCH, STUD PACKAGE-410安培肖特基势垒整流器 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERTRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
数据手册 ---
制造商 Advanced Semiconductor Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Through Hole -
击穿电压(集电极-发射极) - 55 V -
增益 - 14 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 15 @1.4A, 6V -
额定功率(Max) - 233 W -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 - RoHS Compliant -
含铅标准 - Lead Free -