BZT52H-B5V1和BZT52H-B5V1,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-B5V1 BZT52H-B5V1,115 PUMH13,115

描述 NXP  BZT52H-B5V1  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CNXP  BZT52H-B5V1,115  单管二极管 齐纳, 5.1 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CNXP  PUMH13,115  双极晶体管阵列, BRT, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 6

封装 SOD-123F SOD-123F SC-88-6

针脚数 2 2 6

耗散功率 375 mW 375 mW 200 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 5.1 V 5.1 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 830 mW 830 mW 300 mW

容差 - ±5 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 375 mW 300 mW

通道数 - - 2

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 50 V

集电极最大允许电流 - - 100mA

最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @10mA, 5V

直流电流增益(hFE) - - 100

长度 2.7 mm - 2.2 mm

宽度 1.7 mm - 1.35 mm

高度 1.2 mm - 1 mm

封装 SOD-123F SOD-123F SC-88-6

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 1.2 mV/K -0.75 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 NLR - NLR

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