IRLML6244TRPBF和NTR4501NT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLML6244TRPBF NTR4501NT1G IRLML2502PBF

描述 INFINEON  IRLML6244TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 20 V, 21 mohm, 4.5 V, 0.9 VON SEMICONDUCTOR  NTR4501NT1G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 20 V, 80 mohm, 4.5 V, 1.2 VINFINEON  IRLML2502PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 45 mohm, 4.5 V, 1.2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 21 mΩ 0.08 Ω 0.045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.3 W 1.25 W 1.25 W

阈值电压 900 mV 1.2 V 1.2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 6.3A 3.20 A 4.2A

输入电容(Ciss) 700pF @16V(Vds) 200pF @10V(Vds) 740pF @15V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.25 W 1.25 W

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 3.20 A -

额定功率 1.3 W 1.25 W -

无卤素状态 - Halogen Free -

漏源击穿电压 - 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±12.0 V -

上升时间 7.5 ns 12 ns -

额定功率(Max) - 1.25 W -

下降时间 12 ns 3 ns -

长度 3.04 mm 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.4 mm 1.3 mm 1.4 mm

高度 1.02 mm 0.94 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

ECCN代码 - EAR99 -

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