IXTK40P50P和IXTX40P50P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTK40P50P IXTX40P50P TX4

描述 通孔 P 通道 500V 40A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)PLUS P-CH 500V 40APower Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLUS247, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

极性 P-CH P-CH -

耗散功率 890 W 890 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 40A 40A -

上升时间 59 ns 59 ns -

输入电容(Ciss) 11500pF @25V(Vds) 11500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 890 W 890 W -

下降时间 34 ns 34 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 890W (Tc) 890W (Tc) -

封装 TO-264-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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