BZX79B10和BZX79-B10,143

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX79B10 BZX79-B10,143 BZX79-B10T/R

描述 DO-35, 0.5W(1/2W), 2%, Small Signal Zener DiodeALF 10V 0.5W(1/2W)Zener Diode

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35-2 DO-204AH -

封装 DO-35-2 DO-204AH -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 900mV @10mA -

耗散功率 - 500 mW -

稳压值 - 10 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 400 mW -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

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