对比图
型号 IS61WV51216EDBLL-10TLI IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR IS61LV51216-10TLI
描述 512K x 16 SRAM高速异步CMOS静态RAM存储带有ECCSRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44Pin TSOP-II T/RISSI IS61LV51216-10TLI SRAM Memory, 8Mbit, 3.135 3.6V, 10ns 44Pin TSOP
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 44 44 44
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
工作电压 2.4V ~ 3.6V - -
供电电流 50 mA - -
针脚数 44 - -
位数 16 16 -
存取时间 10 ns 10 ns 10 ns
存取时间(Max) 10 ns 10 ns -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃
电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V
电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)
内存容量 - - 8000000 B
电源电压(Max) - - 3.6 V
电源电压(Min) - - 3.135 V
封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44
长度 - - 18.52 mm
宽度 - - 10.29 mm
高度 - - 1.05 mm
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -