对比图
型号 SI4559ADY-T1-E3 SI7530DP-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3
描述 Dual N & P-Channel 60V 0.058/0.12Ω SMT TrenchFET Power Mosfet - SOIC-8MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOICMOSFET, N-Ch/P-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 46mohm, Id 4.5A, SO-8, Pd 3.4W
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - 8
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
输入电容(Ciss) 665pF @15V(Vds) - 665pF @15V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
漏源极电阻 46 mΩ - -
极性 N-Channel, P-Channel - -
耗散功率 2 W - -
阈值电压 1 V - -
连续漏极电流(Ids) 4.50 A - -
长度 - - 5 mm
高度 - - 1.55 mm
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/06/16 - -