VN1206L-G和VN1206L-G-P002

对比图

型号 VN1206L-G VN1206L-G-P002 ZVN3310ASTZ

描述 Trans MOSFET N-CH 120V 0.23A 3Pin TO-92Trans MOSFET N-CH 120V 0.23A 3Pin TO-92 T/RSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

额定功率 1 W - -

耗散功率 1 W 1W (Tc) 625 mW

漏源极电压(Vds) 120 V 120 V 100 V

输入电容(Ciss) 125 pF 125pF @25V(Vds) 40pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 625mW (Ta)

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 200 mA

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 10.0 Ω

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 40.0 pF

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 200 mA

上升时间 - - 7 ns

额定功率(Max) - - 625 mW

下降时间 - - 7 ns

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 - - 4.77 mm

宽度 - - 2.41 mm

高度 - - 4.01 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC