对比图
型号 IRLZ34 IRLZ34L IRLZ34N
描述 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3MOSFET N-CH 60V 30A TO-262Trans MOSFET N-CH Si 55V 30A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - - 3
封装 - TO-262-3 TO-220
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 30.0 A
漏源极电阻 - - 35.0 mΩ
极性 - - N-Channel
耗散功率 - 3.7W (Ta), 88W (Tc) 56.0 W
产品系列 - - IRLZ34N
漏源极电压(Vds) - 60 V 55.0 V
漏源击穿电压 - - 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 30.0 A
上升时间 - - 100 ns
输入电容(Ciss) - 1600pF @25V(Vds) 880pF @25V(Vds)
下降时间 - - 29 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3.7W (Ta), 88W (Tc) 68000 mW
封装 - TO-262-3 TO-220
材质 - - Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead Contains Lead