ECH8301和FSS139

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ECH8301 FSS139 STS5PF20V

描述 P-CH 20V 8AP-channel Silicon MosfetP沟道20V - 0.065欧姆 - 5A SO- 8 2.5V -DRIVE的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 20V - 0.065 ohm - 5A SO-8 2.5V-DRIVE STripFET II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 - TSSOP-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - -20.0 V

额定电流 - - -5.00 A

漏源极电阻 - - 80.0 mΩ

极性 P-CH - P-Channel

耗散功率 - - 2.5 W

漏源极电压(Vds) 20 V - 20 V

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

连续漏极电流(Ids) 8A - 5.00 A

上升时间 - - 47 ns

输入电容(Ciss) - - 412pF @15V(Vds)

下降时间 - - 20 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2.5W (Tc)

长度 - - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 - - 1.65 mm

封装 - TSSOP-8 SOIC-8

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - - RoHS Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台