对比图
描述 高压快速开关NPN功率晶体管 High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Planar Silicon Transistor
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-92-3 TO-92-3
频率 4 MHz -
极性 NPN NPN
耗散功率 0.65 W 1.1 W
击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V
集电极最大允许电流 1.5A 1.5A
最小电流放大倍数(hFE) 14 @500mA, 2V 14 @500mA, 2V
额定功率(Max) 650 mW 1.1 W
额定电压(DC) - 400 V
额定电流 - 1.50 A
最大电流放大倍数(hFE) - 23
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 1.1 W
高度 5.33 mm 4.7 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3
长度 - 4.7 mm
宽度 - 3.93 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete
包装方式 Ammo Pack -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99