FDMC8651和PSMN017-30LL,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDMC8651 PSMN017-30LL,115 PSMN3R5-30LL,115

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8Pin QFN EP T/RTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8Pin QFN EP T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 Power-33-8 VDFN-8 VDFN-8

漏源极电阻 0.0043 Ω - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.3 W 37 W 71 W

阈值电压 1.1 V - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 15A - -

上升时间 9 ns - 54 ns

输入电容(Ciss) 3365pF @15V(Vds) 526pF @15V(Vds) 2061pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.3 W 37 W -

下降时间 6 ns - 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 37W (Tc) 71W (Tc)

长度 3.3 mm - -

宽度 3.3 mm - -

高度 1.05 mm - -

封装 Power-33-8 VDFN-8 VDFN-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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