IS42S32200E-6BL和IS42S32200L-6BL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32200E-6BL IS42S32200L-6BL

描述 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA (8mmx13mm) RoHS动态随机存取存储器 64M (2Mx32) 166MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 BGA-90

供电电流 160 mA 100 mA

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

位数 - 32

存取时间 - 5.4 ns

存取时间(Max) - 8ns, 5.4ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

封装 TFBGA-90 BGA-90

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台