ICTE8-E3/54和ICTE8-E3/51

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ICTE8-E3/54 ICTE8-E3/51 1N6374-E3/51

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/RESD 抑制器/TVS 二极管 1.5KW 8.0V UnidirectDiode TVS Single Uni-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

击穿电压 - 9.4 V 9.4 V

耗散功率 - - 1.5 kW

钳位电压 - 11.5 V 11.5 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

工作电压 - 8 V -

长度 9.5 mm - 9.5 mm

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201AA

高度 5.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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