IXDD614SI和UCC27322D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD614SI UCC27322D UCC37322D

描述 IXD_614 系列 35 V 14 A 0.8 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC27322D  驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8TEXAS INSTRUMENTS  UCC37322D  芯片, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 9A输出, 35ns延迟, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

上升/下降时间 25ns, 18ns 20 ns 20 ns

输出接口数 1 1 1

上升时间 35 ns 70 ns 35 ns

输出电流(Max) 14 A - -

下降时间 25 ns 30 ns 20 ns

下降时间(Max) 25 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 35 ns 70 ns 70 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V 4V ~ 15V 4V ~ 15V

电源电压(DC) - 4.00V (min) 15.0V (max)

输出电压 - 150 mV 150 mV

输出电流 - 9.00 A 9 A

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 650 mW 650 mW

输出电压(Max) - 300 mV -

耗散功率(Max) - 650 mW 650 mW

电源电压(Max) - 15 V 15 V

电源电压(Min) - 4 V 4 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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