P6SMB33CAT3G和SZP6SMB33CAT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P6SMB33CAT3G SZP6SMB33CAT3G SMBJ28CA

描述 ON SEMICONDUCTOR  P6SMB33CAT3G  TVS Diode, TVS, P6SMB Series, Bidirectional, 28.2 V, 45.7 V, DO-214AA, 2 Pins 新600W 齐纳 SMT 瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)ON Semiconductor SMB 系列齐纳瞬态电压抑制器设计用于保护电压敏感组件抵抗破坏性高能量瞬态电压尖脉冲。 它们具有高浪涌容量、极佳的钳位能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On SemiconductorFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SMBJ28CA  TVS二极管, TVS, SMBJ系列, 双向, 28 V, 45.4 V, DO-214AA, 2 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 2

封装 DO-214AA SMB DO-214AA-2

额定电压(DC) 33.0 V - 27.0 V

工作电压 - 28.2 V 28 V

额定功率 600 W 600 W 600 W

击穿电压 33 V 31.4 V 31.1 V

电路数 1 1 1

针脚数 2 - 2

钳位电压 45.7 V 45.7 V 45.4 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 34.7 V - 34.4 V

脉冲峰值功率 600 W 600 W 600 W

最小反向击穿电压 31.4 V 31.4 V 31.1 V

击穿电压 31.4 V 31.4 V 31.1 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

耗散功率 600 W - -

最大反向电压(Vrrm) 28.2V 28.2V -

长度 4.57 mm 4.6 mm 4.75 mm

宽度 3.81 mm 3.95 mm 3.95 mm

高度 2.41 mm 2.28 mm 2.45 mm

封装 DO-214AA SMB DO-214AA-2

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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