AOT22N50L和FDP22N50N

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOT22N50L FDP22N50N

描述 N沟道 500V 22AUniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

数据手册 --

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 417 W 312.5 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 22A 22A

上升时间 122 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 3710pF @25V(Vds) 3200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 417 W 312.5 W

下降时间 77 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 417W (Tc) 312.5W (Tc)

长度 - 9.9 mm

宽度 - 4.5 mm

高度 - 9.2 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended Active

包装方式 Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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