对比图
型号 IRLI3705NPBF LI370 IRLI3705N
描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PINTO-220FP N-CH 55V 52A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole - Through Hole
引脚数 3 - -
封装 TO-220-3 - TO-220-3
额定功率 47 W - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.01 Ω - -
极性 N-Channel - N-CH
耗散功率 47 W - -
阈值电压 2 V - -
漏源极电压(Vds) 55 V - 55 V
漏源击穿电压 55 V - -
连续漏极电流(Ids) 52A - 52A
上升时间 140 ns - -
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) - -
额定功率(Max) 58 W - -
下降时间 78 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 58W (Tc) - -
高度 9.8 mm - -
封装 TO-220-3 - TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -