DS1225AB-70IND和DS1225AB-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AB-70IND DS1225AB-70IND+ DS1225AD-70IND+

描述 IC NVSRAM 64Kbit 70NS 28DIP非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1225AD-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - - 28

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 28 28

时钟频率 - - 70.0 GHz

存取时间 - 70 ns 70 ns

内存容量 - - 8000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - 40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V

电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V

封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28

宽度 - - 18.29 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台