INA128UA和INA217AIDWRE4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 INA128UA INA217AIDWRE4 AD621ARZ

描述 TEXAS INSTRUMENTS  INA128UA.  芯片, 仪器放大器低噪声,低失真仪表放大器替换SSM2017 Low-Noise, Low-Distortion INSTRUMENTATION AMPLIFIER Replacement for SSM2017Analog Devices### 仪器放大器,Analog DevicesAnalog Devices 的一系列仪表放大器。 此系列的产品还包括多种评估和开发板。

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ADI (亚德诺)

分类 放大器、缓冲器运算放大器仪表放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 16 8

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

电源电压(DC) 36.0V (max) - -

工作电压 2.25V ~ 18V - -

供电电流 700 µA 10.0 mA 900 µA

电路数 1 - 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

共模抑制比 130 dB 100 dB 130 dB

静态电流 700 µA 10.0 mA -

带宽 1.3 MHz 3.40 MHz 800 kHz

转换速率 4.00 V/μs 15.0 V/μs 1.20 V/μs

增益频宽积 1.3 MHz - -

增益 10.0 kdB - -

输入补偿电压 125 µV - 250 µV

输入偏置电流 2 nA - 500 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

3dB带宽 1.3 MHz - 800 kHz

共模抑制比(Min) 73 dB 70 dB 93 dB

电源电压(Max) 30V ~ 50V 30V ~ 50V 30V ~ 50V

耗散功率 - - 650 mW

增益带宽 - - 93 dB

耗散功率(Max) - - 650 mW

电源电压(Min) - - 2.3 V

长度 4.9 mm - 5 mm

宽度 3.91 mm 7.52 mm 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-16 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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