IXFB170N30P和IXFK160N30T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFB170N30P IXFK160N30T IXFX160N30T

描述 PLUS N-CH 300V 170ATrans MOSFET N-CH 300V 160A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-264N沟道 300V 160A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 1250 W 1390 W 1390 W

阈值电压 4.5 V 5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

连续漏极电流(Ids) 170A - 160A

上升时间 29 ns 38 ns 38 ns

输入电容(Ciss) 20000pF @25V(Vds) 28000pF @25V(Vds) 28000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1250 W 1390 W 1390 W

下降时间 16 ns 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1250W (Tc) 1390W (Tc) 1390W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 19 mΩ -

漏源击穿电压 - 300 V -

宽度 - - 5.21 mm

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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