对比图
型号 IXFH22N60P IXFT23N60Q IXTQ22N60P
描述 Single N-Channel 600V 400W 58NC Through Hole Power Mosfet - TO-247Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3Pin(2+Tab) TO-268N沟道 600V 22A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 22.0 A - 22.0 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 350 mΩ - 350 mΩ
耗散功率 400W (Tc) 400W (Tc) 400 W
输入电容 3.60 nF - 3.60 nF
栅电荷 58.0 nC - 62.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
连续漏极电流(Ids) 22.0 A - 22.0 A
上升时间 20 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
下降时间 23 ns - 23 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)
极性 N-Channel - -
额定功率(Max) 400 W - -
长度 - - 15.8 mm
宽度 - - 4.9 mm
高度 - - 20.3 mm
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free