FDV302P和FDV302P_NL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDV302P FDV302P_NL FDV302P_D87Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDV302P  晶体管, MOSFET, P沟道, -120 mA, -25 V, 7.9 ohm, -4.5 V, -1 VDigital FET,P-ChannelTrans MOSFET P-CH 25V 0.12A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) -25.0 V - -25.0 V

额定电流 -120 mA - -120 mA

额定功率 350 mW - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 7.9 Ω - 13.0 Ω

极性 P-Channel P-CH P-Channel

耗散功率 350 mW - 350mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25 V

漏源击穿电压 -25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 120 mA 0.12A 120 mA

上升时间 8 ns - -

输入电容(Ciss) 11pF @10V(Vds) - 11pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW - -

下降时间 8 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 350mW (Ta) - 350mW (Ta)

长度 2.92 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.93 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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