对比图
型号 JAN1N1206A PBY275 1N1206A
描述 军事硅电力整流器 Military Silicon Power RectifierSilicon-Power Rectifiers整流器 600V 12A Std. Recovery
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Diotec Semiconductor GeneSiC Semiconductor
分类 功率二极管功率二极管
安装方式 - - Chassis
引脚数 2 - 2
封装 DO-4 DO-4 DO-4
正向电压 1.35V @38A - 1.1V @12A
热阻 - - 2℃/W (RθJC)
正向电流 12000 mA - 12 A
正向电压(Max) - - 1.1 V
正向电流(Max) 12000 mA - 12 A
工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
高度 - - 22.79 mm
封装 DO-4 DO-4 DO-4
工作温度 - - 150 ℃
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tray - Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
军工级 Yes - -