对比图
型号 IXFX64N60P3 IXFX64N60Q3 IXFK64N60P3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 95 mΩ 0.1 Ω
极性 - - N-Channel
耗散功率 1130W (Tc) 1.25 kW 1.13 kW
阈值电压 5 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 64A
上升时间 17 ns 300 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 9900pF @25V(Vds) 9930pF @25V(Vds) 9900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 1130 W
下降时间 11 ns - 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1130W (Tc) 1250W (Tc) 1130W (Tc)
通道数 1 1 -
漏源击穿电压 - 600 V -
长度 16.13 mm 16.13 mm 19.96 mm
宽度 5.21 mm 5.21 mm 5.13 mm
高度 21.34 mm 21.34 mm 26.16 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20