K4T1G164QE-HCF7和W971GG6JB-18

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 K4T1G164QE-HCF7 W971GG6JB-18 NT5TU64M16HG-AC

描述 1GB E-die DDR2 SDRAM(60FBGA/84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free)8M X 8 BANKS X 16Bit DDR2 SDRAMDRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84Pin BGA

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Winbond Electronics (华邦电子股份) Nanya (南亚)

分类 RAM芯片

基础参数对比

引脚数 - - 84

封装 BGA BGA BGA

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

位数 - - 16

存取时间(Max) - - 0.4 ns

工作温度(Max) - - 95 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

封装 BGA BGA BGA

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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